發(fā)展關(guān)鍵點(diǎn)2:封裝工藝。由于功率半導(dǎo)體工作環(huán)境極端，對可靠性和壽命等要求較高，因此封裝工藝同樣是功率半導(dǎo)體的主要關(guān)注點(diǎn)。封裝工藝主要從三種途徑進(jìn)行改進(jìn)：①提高芯片面積與占用面積之比；②將封裝的電阻和熱阻減至最?。虎蹖⒓纳娮韬碗姼袦p至最小。

　　以TOLL封裝為例，它是一種高效節(jié)省空間的封裝，具有極低的寄生電阻和強(qiáng)大的熱性能，非常適合于高電流和高壓應(yīng)用。根據(jù)EEWORLD，TOLL 封裝引線設(shè)計中潤濕性側(cè)翼，在汽車領(lǐng)域競爭力明顯，是汽車應(yīng)用中的常用技術(shù)。

　　車規(guī)級IGBT模塊封裝技術(shù)壁壘更高，封裝質(zhì)量及散熱重要性突出。車規(guī)級IGBT 模塊是功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)壁壘的產(chǎn)品之一。車規(guī)級封裝是保障高溫運(yùn)行、高功率密度、高可靠性的關(guān)鍵因素，不僅僅涉及到芯片表面互連、貼片互連、端子引出、散熱等關(guān)鍵技術(shù)工藝。

　　發(fā)展關(guān)鍵點(diǎn)3:材料迭代。功率半導(dǎo)體還專注于材料的迭代，現(xiàn)有第三代半導(dǎo)體材料可有效提升原有硅基材料的性能，突破原有器件性能天花板。以SiC、GaN 等第三代半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體可在更高頻、更高壓的環(huán)境下工作，性能上超過原有Si基IGBT 和Si基MOSFET，且原有的成本問題也不斷得到了優(yōu)化。

　　這些變化的一個影響是使芯片工廠變得更有價值，包括一些由晶圓代工廠擁有的舊工廠。這是因?yàn)樾碌闹圃旃に囈呀?jīng)變得如此昂貴，一些芯片設(shè)計師沒有轉(zhuǎn)移到的工廠來生產(chǎn)他們的產(chǎn)品。其結(jié)果是，5至10年歷史的廉價生產(chǎn)線出現(xiàn)了需求的一線生機(jī)。因此，一些晶圓代工廠開始進(jìn)行重大戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變，將更多資金投入較老的生產(chǎn)技術(shù)。臺積電最近表示，它將在日本建造這樣一座工廠。代工業(yè)務(wù)的主要競爭對手三星電子也表示，正在考慮建立一家新的“傳統(tǒng)”工廠。但這些投資需要數(shù)年時間才能獲得回報。它們也不會解決影響微控制器等芯片的問題，而微控制器是供應(yīng)鏈?zhǔn)艿綌D壓的一個縮影。微控制器將計算能力與存儲程序和數(shù)據(jù)的內(nèi)置內(nèi)存相結(jié)合，通常還會添加一些只來自專門工廠的功能。從汽車的剎車和引擎系統(tǒng)到安全攝像頭、信用卡、電動滑板車和無人機(jī)，應(yīng)用程序的數(shù)量正在飆升“我們?nèi)ツ暌荒甑奈⒖刂破麂N量可能超過過去10年。”位于休斯頓的芯片商Smith的官馬克·巴恩希爾（Marc Barnhill）表示。在這場動蕩中，設(shè)計或使用芯片的公司采取了新的應(yīng)對策略。咨詢公司凱捷（Capgemini）負(fù)責(zé)這一業(yè)務(wù)的全球副總裁希夫·塔斯克（Shiv Tasker）說，一些設(shè)計師正在調(diào)整他們的產(chǎn)品，以便在產(chǎn)能更大的不同工廠生產(chǎn)。曾經(jīng)根據(jù)價格和性能購買芯片的客戶也更多地考慮了可用性。以新亮智能（BrightAI）為例，這家初創(chuàng)企業(yè)正在開發(fā)設(shè)備和軟件，幫助企業(yè)將設(shè)備和其他設(shè)備連接到互聯(lián)網(wǎng)上。該公司聯(lián)合創(chuàng)始人亞歷克斯·霍金森（Alex Hawkinson）表示，為了適應(yīng)不同的芯片，公司在六個月內(nèi)對一塊電路板進(jìn)行了四次重新設(shè)計。像汽車制造商這樣的大型芯片用戶已經(jīng)開始與制造商直接對話，而不是遵循通過分包商合作的典型做法。

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