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SKM195GAL123D IGBT模塊 可控硅 西門康 全國發(fā)貨

 
 
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品牌 上海萱鴻電子
型號 SKM195GAL123D
過期 長期有效
更新 2023-05-10 12:19
 

上海萱鴻電子科技有限公司

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聯(lián)系電話:18501630698 所在區(qū)域: 經(jīng)營范圍:二極管
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詳細說明
品牌

上海萱鴻電子

型號

SKM195GAL123D

半導體材料

其他

管腳引出方式

其他

內(nèi)部結構

其他

封裝方式

塑料封裝

正向電壓降

1200V

最大反向工作電壓

1200V

擊穿電壓

1200V

額定整流電流

200A

最大反向漏電流

200A

外形尺寸

詳詢

功耗

詳詢

產(chǎn)地

德國

廠家

西門康

  德國SEMIKRON西門康二極管模塊- 二極管的電路符號。二極管有兩個電極,由P區(qū)引出的電極是正極,又叫陽極;由N區(qū)引出的電極是負極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號用VD表示。

  擊穿特性:外加反向電壓超過某一數(shù)值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞黄茐模诔烦饧与妷汉?,其性能仍可恢復,否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。

  反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

  另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結性損壞。

  反向電流:反向電流是指二極管在常溫(25℃)和反向電壓作用下,流過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為250μA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500μA,依此類推,在75℃時,它的反向電流已達8mA,不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?,還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型硅二極管,25℃時反向電流僅為5μA,溫度升高到75℃時,反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。

  動態(tài)電阻:二極管特性曲線靜態(tài)工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。

  電壓溫度系數(shù):電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。

  工作頻率:工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣,其結電容由勢壘電容組成。所以工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?/p>

  整流電流:整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時,允許通過的正向平均電流值,其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為141℃左右,鍺管為90℃左右)時,就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下,二極管使用中不要超過二極管整流電流值。

  反向工作電壓:加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰Α榱吮WC使用安全,規(guī)定了反向工作電壓值。


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