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品牌 | INFINEON/英飛凌 | 型號 | DD89N12K-K |
半導(dǎo)體材料 | 硅Si | 封裝方式 | 塑料封裝 |
正向電壓降 | 1200V | 最大反向工作電壓 | 1200V |
擊穿電壓 | 1200V | 最大反向漏電流 | 89A |
外形尺寸 | 詳詢 | 功耗 | 詳詢 |
產(chǎn)地 | 德國 | 廠家 | 英飛凌 |
封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | 批號 | 20+ |
數(shù)量 | 186 | 工作環(huán)境 | 室內(nèi)式 |
工作溫度 | -40+150 |
可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多。
可控硅有三個電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P 型導(dǎo)體和N 型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN 結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號。
可控硅和只有一個PN 結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理:
首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN 型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP 型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27(C)的等效電路圖來分析。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea ,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1 的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG1 將產(chǎn)生基極電流Ib1 ,經(jīng)放大,BG1 將有一個放大了β1 倍的集電極電流IC1 。因為BG1 集電極與BG2 基極相連,IC1 又是BG2 的基極電流Ib2 。BG2 又把比Ib2 (Ib1 )放大了β2 的集電極電流IC2 送回BG1 的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1 、BG2 完全導(dǎo)通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。 可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1 基極的電流已不只是初始的Ib1 ,而是經(jīng)過BG1 、BG2 放大后的電流(β1 *β2 *Ib1 )這一電流遠(yuǎn)大于Ib1 ,足以保持BG1 的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea 或降低Ea ,使BG1 、BG2 中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時,可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果Ea 極性反接,BG1 、BG2 由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea 接成正向,而觸動發(fā)信號是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了。
可控硅這種通過觸發(fā)信號(小的觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。
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