TPS22904YFPT

　　TPS2559DRCR

　　TPS22944DCKR< r /> LPC1343FHN33

　　FSEZ1317MY

　　LMH6643MAX

　　AD7541AKR

　　HEF4013BP

　　ADM213EARSZ

　　LTC7510EUH

　　NCP6336BFCCT1G

　　LMV552MMX

　　PH9130AL

　　LMP7715MFX

　　BYQ28E-200

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　　TMP512AIDR

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　　TDA9981BHL/8/C1

　　FAN2106MP

　　ISP1104W

　　PCA9535

　　LP3470M5X-3.08

　　BFG505

　　MIC5235-3.3YM5

　　P4A30A-E3/ r /> MIC2142 r /> LP3990MFX-1.2

　　LM4050AEM3-5.0

　　PBSS4160T

　　NUP4201MR6 3

　　PTVS

　　LM4050AEM3-2.5

　　LM4121IM5-1.2

　　PMBT6428

　　NX3020NAKT

　　LM4040DIM3-2.5

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　　VIPER22A

　　TLV431BQDBZR

　　TPS62200DBVR

　　MAX6006BEUR+T

　　DGNR

　　TPS2051CDBVR

　　TPS76330DBVR

　　TPS73033DBVR

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　　TLV431ACD r /> LM4041DEM3-ADJ

　　TL432QDBZR

　　SI4442DY-T1-E3

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　　SD85 r /> TPS51200DRCT

　?。―DR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允許更高的時(shí)鐘頻率。與DDR2的競(jìng)爭(zhēng)是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個(gè)新的標(biāo)準(zhǔn)，提供更高的性能和新功能。DDR 預(yù)取緩沖器（prefetch buffer）深度為2比特，而DDR2采用4位。雖然DDR2的時(shí)鐘速率高于DDR，但整體性能并沒(méi)有提升，主要是由于DDR2高延遲（high latency）。直到2004年DDR2才有明顯的提升。MDDR是Mobile DDR的縮寫(xiě)，在一些行動(dòng)電子設(shè)備中使用，像是使用移動(dòng)電話(huà)、手持設(shè)備、數(shù)字音頻播放器等。通過(guò)包括降低電源電壓和先進(jìn)的刷新選項(xiàng)（advanced refresh options）技術(shù)，MDDR可以實(shí)現(xiàn)更高的電源效率。

　　芯片內(nèi)部都是半導(dǎo)體材料。里面的電容，電阻，二極管，三極管都是用半導(dǎo)體做出來(lái)的。半導(dǎo)體是導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間，導(dǎo)電性可受控制的材料。高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。芯片的原材主要是高純的單晶硅。硅谷位于美國(guó)舊金山灣區(qū)的圣塔克拉拉谷。硅谷最早是研究和生產(chǎn)以硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體芯片的地方，因此得名。這里是擁有十幾所美國(guó)大學(xué)和幾千家高科技公司的新興工業(yè)區(qū)。北京的中關(guān)村被認(rèn)為是中國(guó)的“硅谷”，地理位置上由中國(guó)科學(xué)院和毗鄰的北京大學(xué)，清華大學(xué)環(huán)抱而成。1980年，這里辦起了家IT公司。以后，中關(guān)村變成了我國(guó)高科技行業(yè)的代名詞。