什么是CDM？

CDM(Charged Device Model)是指放電模式中IC因?yàn)槟ゲ凛斔蛶Щ蚱渌蛩囟?jīng)過(guò)一個(gè)電場(chǎng)時(shí)在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過(guò)程中IC并未被損傷。該帶有靜電的IC在制造和裝配過(guò)程中，當(dāng)其管腳碰觸到地面時(shí)，IC內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由樣品的管腳自IC內(nèi)部流出來(lái)，而造成了放電的現(xiàn)象。

不同于HBM（Human-Body Model）和MM（Machine Model），它是由內(nèi)到外的放電現(xiàn)象，CDM 模型的放電電流上升時(shí)間極短，電流峰值也更高。

哪些因素對(duì)CDM測(cè)試有影響呢？ 

1、濕度對(duì)于測(cè)試結(jié)果的影響

在日常測(cè)試中我們發(fā)現(xiàn)，濕度對(duì)于測(cè)試結(jié)果起到了決定性的因素，目前大多數(shù)CDM測(cè)試我們都參考JS002的標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)中要求測(cè)試腔體的濕度不應(yīng)超過(guò)30% RH。我們分別實(shí)驗(yàn)了在腔體58％RH和5％RH兩個(gè)濕度條件下各抓取20次放電波形來(lái)做了對(duì)比，發(fā)現(xiàn)濕度在58％RH的測(cè)試條件下放電波形的重復(fù)性較差且放電的峰值電流也相應(yīng)降低，濕度在5％的測(cè)試條件下抓取的放電波形重復(fù)性較好，同等電壓下峰值電流也更高；我們?cè)黾恿?5％RH和10％RH這兩個(gè)不同濕度的峰值電流對(duì)比，在10％RH的條件下峰值電流也更高。

影響CDM測(cè)試結(jié)果的原因，濕度只是其中的一個(gè)方面，還有測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、接觸電阻、充電時(shí)間(針對(duì)大電容IC更敏感)、芯片放置角度等幾個(gè)方面。

2、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

CDM測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有統(tǒng)一之前，測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)較多，如JESD22-C101、AEC Q100-011，ANSI/ESD S5.3.1-2009等。不同的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于放電波形的要求不同，主要差異包括：場(chǎng)板電介質(zhì)厚度，波形驗(yàn)證參數(shù)，用于驗(yàn)證系統(tǒng)的驗(yàn)證模塊，示波器帶寬等，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果無(wú)法對(duì)齊。為解決這一問(wèn)題，目前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)統(tǒng)一硬件規(guī)則，現(xiàn)在測(cè)試CDM的放電波形行業(yè)多數(shù)參考JS-002標(biāo)準(zhǔn)。

3、接觸電阻

由于樣品放置時(shí)間長(zhǎng)，引腳表面會(huì)形成氧化、沾污，此外Pogo Pin 因靜電吸附等沾染毛絮、灰塵顆粒都會(huì)影響接觸放電。如條件允許，建議使用前對(duì)樣品及Test Fixture進(jìn)行清潔(一般是異丙醇)后測(cè)試，但是，這又會(huì)涉及到不同有機(jī)溶劑對(duì)樣品材料的腐蝕與置換溶解問(wèn)題，需要小心處理。

4、充電時(shí)間

CDM現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)均為Field-Induced-Charge模式，類(lèi)似一個(gè)電容器的充電(測(cè)試機(jī)就是充電的電源，測(cè)試芯片就是這顆電容器)，需要讓被測(cè)芯片達(dá)到預(yù)定的電壓值，根據(jù)芯片等效電容的不同，需要一定的時(shí)間，此時(shí)間會(huì)影響樣品是否能達(dá)成完全充電。實(shí)驗(yàn)室需要定期依據(jù)不同芯片的等效電容，選定合適的時(shí)間，以便達(dá)到“完全”Charge的目標(biāo)，否則會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。