深圳市鑫業(yè)新光電有限公司成立于2010年，公司是一家集LED封裝及應(yīng)用產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的公司。產(chǎn)品制造過程采用凈化，抗靜電的國際標準設(shè)施封閉作業(yè)并且通過ISO9001質(zhì)量管理體系認證。擁有業(yè)內(nèi)的ASM全自動固晶、全自動焊線設(shè)備及全自動封膠設(shè)備，產(chǎn)品檢測選用臺灣多功能電腦自動分光分色設(shè)備處理。

　　21世紀照明工程正在開發(fā)的GaN類LED構(gòu)造。要想提高LED的外部量子效率，減少LED中的結(jié)晶缺陷是關(guān)鍵。與不加工藍寶石底板的普通方法相比，LEPS技術(shù)（在沿（11—20）或（1—100）方面加工出道的藍寶石底板上形成GaN類LED的技術(shù)）可以減少約1/3的結(jié)晶缺陷。

　　使用于熒光燈及彩色電視接收機的熒光材料更容易吸收300nm附近的光。但是，在LED外部量子效率高的400nm 附近，將光轉(zhuǎn)換成綠色及藍色的熒光體材料的光吸收強度大約是峰值 2/3，而轉(zhuǎn)換成紅色光的熒光體材料的吸收強度只有約1/10。

　　在國家863計劃支持下，課題研究團隊集中開展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作，著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質(zhì)量差、鋁組分低、無法實現(xiàn)短波長發(fā)光和結(jié)構(gòu)材料設(shè)計等問題，在一些關(guān)鍵技術(shù)方面取得了突破，獲得了高結(jié)晶質(zhì)量無裂紋的高鋁組分材料。在此基礎(chǔ)上，課題在國內(nèi)成功制備了300nm以下的深紫外LED器件，實現(xiàn)了器件的毫瓦級功率輸出，開發(fā)了深紫外殺菌模塊，經(jīng)測試殺菌率達到95%以上。

　　當前，將400nm紫外LED用于白色LED所面臨的關(guān)鍵是如何開發(fā)由400nm附近的光激勵的熒光材料以及不會因這種光而出現(xiàn)性能惡化的封裝材料。

　　我們有著的資源優(yōu)勢和完善科學的管理體系,根據(jù)客戶的需求,我們能提供合適的解決方案.因為,所以受到廣泛的好;因為志存高遠,所以我們不斷前進.