回收驅(qū)動器IC的價格在一些非易失性存儲器如相變存儲器；；PCM)、磁阻存儲器(磁阻存儲器；；M-RAM)、電阻式存儲器(電阻式存儲器；RRAM)等技術(shù)蓄勢待發(fā)，即將進入商業(yè)化量產(chǎn)的門檻。DDR4很可能會是最后一個DDR內(nèi)存，計算機和軟件結(jié)構(gòu)都會發(fā)生極其劇烈的變化。

　　隨著閃存工藝技術(shù)的不斷演進和單位容量成本的不斷下降，采用浮柵半導(dǎo)體電路設(shè)計的NAND閃存已經(jīng)廣泛應(yīng)用于智能手機、嵌入式設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用中。

　　美光自己的市場統(tǒng)計預(yù)測表明，2012-2016年整體NAND閃存容量應(yīng)用的復(fù)合年增長率可達51%。2013年，美光和SK海力士兩家晶圓廠相繼發(fā)布了16nm工藝的n and閃存技術(shù)，而東芝則在2014年直接進入15nm工藝，推出了相關(guān)的NAND閃存芯片產(chǎn)品。

　　NAND Flash的傳輸速率從2010年onFI 2.0的133MB/s到eMMC 4.41的104 MB/s；到2011年，onFI v2.2/Toggle 1.0規(guī)范傳輸速率提高到200MB/s，eMMC v4.5提高到200MB/s，UFS 1.0傳輸速率2.9Gbps；2012年，onFI v3.0/Toggle v1.5提升至400MB/s，UFS v2.0傳輸速率翻倍至5.8Gbps；預(yù)計到2015年，onFI v4.x/Toggle v2.xx規(guī)范定義的傳輸速率將提高到800MB/s和1.6 GB/s..

　　隨著NAND Flash工藝的發(fā)展，線寬和間距的縮小，擦除循環(huán)(P/E循環(huán))次數(shù)減少。SLC內(nèi)存從3x納米工藝的100，000 p/e周期和4個ECC位減少到2x納米工藝的60，000 P/E和24個ECC位。MLC已經(jīng)從早期5x納米工藝的10000 p/e和8 ECC位降低到2x/2y納米工藝的3000 p/e和24~40 ECC位。