用萬(wàn)用表測(cè)量的方法如下:

　　1.T2極的確定:用萬(wàn)用表在R*1或R*100檔測(cè)量各引腳的反向電阻。如果兩個(gè)引腳的反向電阻非常小(約100歐姆)，則是t 1和G極，剩下的一個(gè)是T2極。

　　2.T1和G極的區(qū)分:假設(shè)這兩個(gè)極一個(gè)是T1，一個(gè)是G，將萬(wàn)用表設(shè)在R*1，用兩個(gè)探針(不分正負(fù)極)分別接觸確定的T2極和假想的T1極，同時(shí)用探針接觸T1的方式接觸假想的G極，在保證假想的T1極不會(huì)接通的情況下斷開假想的G極，萬(wàn)用表仍顯示on狀態(tài)。

　　3.交換探頭和筆，用同樣的方法測(cè)量。如果萬(wàn)用表仍然顯示相同的結(jié)果，那么假設(shè)的T1和G極是正確的。如果在保證假設(shè)的T1極沒有斷開的情況下，假設(shè)的G極斷開，萬(wàn)用表會(huì)顯示斷開狀態(tài)，說(shuō)明假設(shè)的T1和G極是相反的，從新的假設(shè)開始測(cè)量，結(jié)果是正確的。

　　如果不能測(cè)出上述結(jié)果，則雙向可控硅壞了。這種方法雖然不能測(cè)出具體參數(shù)，但判斷是否可用是可行的。

　　雙向晶閘管的使用條件

　　(1)在外加電壓下，允許超過(guò)正向翻轉(zhuǎn)電壓，否則控制電極不起作用。

　　(2)可控硅的通態(tài)平均電流，從安全角度考慮，一般取1.5~2倍電流。

　　(3)為了保證控制電極的可靠觸發(fā)，加在控制電極上的觸發(fā)電流一般大于其量。此外，必須采取保護(hù)措施。過(guò)電流的保護(hù)措施一般是在電路中串聯(lián)一個(gè)快速熔斷器，其額定電流約為可控硅電流平均值的1.5倍。接入位置可在交流側(cè)或DC側(cè)，在交流側(cè)時(shí)額定電流較大。

　　一般多采用前者。過(guò)壓保護(hù)通常出現(xiàn)在有電感的電路中，或者交流側(cè)有干擾的浪涌電壓中，或者交流側(cè)瞬態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)壓中。由于過(guò)電壓峰值高、作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路來(lái)抑制。

　　晶閘管管，由四層半導(dǎo)體材料組成，有三個(gè)PN結(jié)和三個(gè)外電極(圖2(A)):P層半導(dǎo)體引出的電極稱為陽(yáng)極A，P層半導(dǎo)體引出的電極稱為控制電極G，N層半導(dǎo)體引出的電極稱為陰極k，從晶閘管的電路符號(hào)可以看出[圖2 (b)]，它是一個(gè)類似二極管的單向?qū)ㄆ骷P(guān)鍵是增加了一個(gè)控制電極G，使其具有與二極管完全不同的工作特性。P1N1P2N2基于硅單晶的四層三端器件，始于1957年。由于其特性類似于真空閘流管，國(guó)際上稱為硅閘流管，縮寫為晶閘管T，又因其具有靜態(tài)整流作用，故又稱為可控硅整流元件，縮寫為可控硅。在性能上， SCR不僅具有單向?qū)ㄐ?，還具有比硅整流器(俗稱“死硅”)更有價(jià)值的可控性。它只有兩種狀態(tài):開和關(guān)。

　　可控硅整流器可以控制毫安級(jí)電流的大功率機(jī)電設(shè)備。如果超過(guò)這個(gè)功率，由于元件的開關(guān)損耗顯著增加，允許通過(guò)的平均電流會(huì)降低。此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)該下降?？煽毓栌泻芏鄡?yōu)點(diǎn)，比如:用小功率控制大功率，功率放大高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，微秒級(jí)開關(guān)；無(wú)觸點(diǎn)操作，無(wú)火花，無(wú)噪音；效率高，成本低等等。SCR的缺點(diǎn):靜態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)載能力差；容易被干擾誤導(dǎo)?？煽毓枵髌骺煞譃槁菟ㄐ巍⑵桨逍魏推降仔?。可控硅元件的結(jié)構(gòu)

　　不管可控硅的形狀如何，它們的管芯都是P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。參見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、JBOY3樂隊(duì))，分別來(lái)自J1結(jié)構(gòu)的P1層、陽(yáng)極A、陰極K和控制電極G，所以它是一個(gè)四層三端半導(dǎo)體器件。

SCR結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖