第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用正在蓬勃發(fā)展。

　　以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為突破口，第三代半導(dǎo)體材料正在興起。根據(jù)相關(guān)報(bào)道，在5G設(shè)備、電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)施(包括太陽(yáng)能設(shè)施)中使用SiC和GaN等復(fù)合半導(dǎo)體的需求確實(shí)在增加。從2021年開(kāi)始，復(fù)合功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)，到2029年，復(fù)合功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望增長(zhǎng)5倍以上。

　　包括SiC(4H-SiC)和GaN (GaN)在內(nèi)的下一代化合物功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在開(kāi)始增長(zhǎng)。市場(chǎng)研究公司Yole預(yù)測(cè)，到2024年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到29%，達(dá)到20億美元。相關(guān)受益者應(yīng)包括美國(guó)的Cree、意法半導(dǎo)體和Veeco以及韓國(guó)的RFHIC。

　　晶圓生產(chǎn)技術(shù)是生產(chǎn)GaN和SiC半導(dǎo)體的關(guān)鍵。我們注意到，化合物半導(dǎo)體已經(jīng)應(yīng)用于5G設(shè)備、工業(yè)設(shè)施、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能等其他行業(yè)。最近，氮化鎵晶體管被廣泛用作智能手機(jī)和筆記本電腦的充電適配器。另外，現(xiàn)代汽車集團(tuán)最近公布的E-GMP采用了Sic半導(dǎo)體。

　　在復(fù)合半導(dǎo)體的生產(chǎn)中，晶片生產(chǎn)技術(shù)很重要。GaN半導(dǎo)體是通過(guò)用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備在襯底上生長(zhǎng)GaN外延層來(lái)制造的。SiC外延片是沉積在多晶硅片上的SiC單晶層，厚度為幾微米。碳化硅晶圓由很多公司生產(chǎn)，包括凱瑞、英飛凌和羅曼。在韓國(guó)，收購(gòu)了杜邦碳化硅晶片部門的SK Siltron正在投資這一行業(yè)。碳化硅晶片現(xiàn)在供不應(yīng)求。

　　Cree計(jì)劃到2024年將SiC產(chǎn)能提高30倍，并向GaN業(yè)務(wù)投資10億美元。2019年，ST微的SiC芯片組相關(guān)銷售額達(dá)到2億美元，預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)到10億美元。

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