因為IGBT模塊是MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過氧化膜與發(fā)射極電隔離。由于這種氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20 ~ 30 V，因此靜電引起的柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此，在使用中要注意以下幾點:

　　使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子。需要觸摸模塊端子時，先將人體或衣服上電阻較大的靜電放電后再觸摸。當用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，請不要在接線完成前連接模塊；盡量在底板接地良好的情況下操作。在應(yīng)用中，雖然有時保證柵極驅(qū)動電壓不超過柵極的額定電壓，但是柵極連接的寄生電感和柵極與集電極之間的容性耦合也會產(chǎn)生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，通常使用雙絞線來傳輸驅(qū)動信號，以減少寄生電感。振蕩電壓也可以通過在柵極連接中串聯(lián)一個小電阻來抑制。

　　另外，當柵極和發(fā)射極之間開路時，如果在集電極和發(fā)射極之間施加電壓，隨著集電極電位的變化，柵極電位會上升，集電極會有電流。此時，如果集電極和發(fā)射極之間有高電壓，IGBT可能會被加熱甚至損壞。

　　使用IGBT時，當電網(wǎng)電路異?；驌p壞(電網(wǎng)處于開路狀態(tài))時，如果在主電路上施加電壓，IGBT就會損壞。為防止此類故障，應(yīng)在柵極和發(fā)射極之間串聯(lián)一個約10KΩ的電阻。

　　安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)特別注意IGBT模塊與模塊片之間的接觸面狀態(tài)和緊固程度。為了降低接觸熱阻，在模塊和IGBT模塊之間涂上導(dǎo)熱硅脂。通常，模塊風扇安裝在模塊的底部。當模塊風扇損壞時，IGBT模塊會發(fā)熱并出現(xiàn)故障。因此，應(yīng)定期檢查模塊風扇。通常，溫度傳感器安裝在模塊芯片上的IGBT模塊附近，當溫度過高時，它會報警或停止IGBT模塊。