晶閘管在工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛，工業(yè)的應(yīng)用范圍也越來越大。晶閘管的功能越來越全面。但有時(shí)，晶閘管在使用過程中會(huì)造成一些損壞。為了保證晶閘管的壽命，怎樣才能更好的保護(hù)晶閘管？

　　在使用中，晶閘管對(duì)過電壓非常敏感。過流對(duì)晶閘管的損害也很大。Xi安瑞新公司將介紹晶閘管的保護(hù)方法，如下:

　　1、過壓保護(hù)

　　晶閘管對(duì)過電壓非常敏感。當(dāng)直流電壓超過其關(guān)斷狀態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM時(shí)，晶閘管將誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障。當(dāng)施加的反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管將立即損壞。因此，有必要研究過電壓產(chǎn)生的原因和抑制過電壓的方法。

　　過電壓主要是由于供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生劇烈變化，使系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或系統(tǒng)中原本積累的電磁能量來不及耗散而產(chǎn)生的。主要發(fā)現(xiàn)有兩種:雷電等外界沖擊引起的過電壓和開關(guān)分合閘引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作引起的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓峰值，對(duì)晶閘管是非常危險(xiǎn)的。開關(guān)斷開和閉合引起的脈沖電壓分為以下幾類:

　　(1)交流電源接通和斷開引起的過電壓

　　比如交流開關(guān)分合閘引起的過電壓，交流側(cè)熔斷器熔斷等。由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振電路和電容分壓，這些過電壓值是正常值的2到10倍。一般來說，分合閘速度越快，過電壓越高，空載情況下電路斷開時(shí)過電壓也會(huì)越高。

　　(2)DC側(cè)產(chǎn)生的過電壓

　　如果切斷電路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大，則會(huì)出現(xiàn)相對(duì)較大的過電壓。這種情況經(jīng)常發(fā)生在負(fù)載切斷，正在導(dǎo)通的晶閘管開路，或者快速熔斷器的熔體熔斷，導(dǎo)致電流突變的情況下。

　　(3)換向沖擊電壓

　　包括換向過電壓和換向振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管電流降至零時(shí)，器件各結(jié)層中的殘余載流子重新結(jié)合而產(chǎn)生的，所以又稱為載流子積累效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓后出現(xiàn)換相振蕩過電壓，是電感和電容諧振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值與換相后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓越大。

　　根據(jù)過電壓產(chǎn)生的不同原因，可采用不同的抑制方法，如減少過電壓來源，衰減過電壓幅值；抑制過電壓能量的上升速度，延緩發(fā)電能量的耗散速度，增加其耗散方式；使用電子電路進(jìn)行保護(hù)等。常用來連接回路中的吸能元件來耗散能量，通常稱為吸收回路或緩沖回路。

　　(4)阻容吸收電路

　　通常過電壓的頻率很高，所以電容經(jīng)常被用作吸收元件。為了防止振蕩，往往加入阻尼電阻，形成阻容吸收回路。阻容吸收回路可以連接在電路的交流側(cè)和DC側(cè)，或者并聯(lián)在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路選用無感電容，接線盡量短。

　　(5)吸收回路由硒堆、壓敏電阻等非線性元件組成。

　　上述阻容吸收電路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓放電來不及，抑制過電壓的效果差。因此，一般情況下，變流器的進(jìn)出口端都有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點(diǎn)是工作電壓與溫度有關(guān)，溫度越低，耐壓越高；此外，硒堆具有自恢復(fù)特性，可多次使用。過電壓作用后，硒襯底上的燒孔被熔化的硒覆蓋，其工作特性又恢復(fù)了。壓敏電阻是一種基于氧化鋅的金屬氧化物非線性電阻。它的結(jié)構(gòu)是兩個(gè)電極，電極之間填充不規(guī)則的ZNO微晶，粒徑為10~50μm， 并且在它們之間有厚度約為1微米的氧化鉍晶界層..這個(gè)晶界層在正常電壓下處于高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，小于100 μ A，當(dāng)施加電壓時(shí)，引起電子雪崩，晶界層迅速變?yōu)榈妥杩梗娏餮杆僭龃?，能量泄漏，過壓被抑制，從而保護(hù)了晶閘管。浪涌后，晶界層回到高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由以下參數(shù)表示。

　　標(biāo)稱電壓:指1mA的直流電流通過時(shí)，壓敏電阻兩端的電壓值。

　　電流容量:用前沿為8微秒、波寬為20微秒的浪涌電流表示，每5分鐘沖擊一次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓在-10[[%]]]范圍內(nèi)變化。

　　由于正常的壓敏電阻晶界層只有一定的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)的增加而降低，還會(huì)隨著放電電流幅值的增加而降低。當(dāng)達(dá)到一定電流時(shí)，標(biāo)稱電壓降至0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔甚至爆裂。因此，必須限制流量。

　　漏電流:指當(dāng)增加一半標(biāo)稱DC電壓時(shí)，流過變阻器的電流。

　　由于壓敏電阻的電流容量大，殘壓低，過電壓抑制能力強(qiáng)；通常泄漏電流小，放電后不會(huì)有余流，元件標(biāo)稱電壓等級(jí)多，方便用戶選擇；伏安特性對(duì)稱，可用于交流、DC或正負(fù)浪涌；因此，它有廣泛的用途。