公司長期大量庫存，堅持“質(zhì)量、管理、薄利多銷、服務(wù)第一”的經(jīng)營理念，為客戶提供全方位服務(wù)。所售產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、UPS電源、感應(yīng)加熱、焊機等設(shè)備。經(jīng)過長期不懈的努力，我公司樹立了良好的信譽，在同行中脫穎而出，贏得了廣大客戶的信任和支持。經(jīng)過多年的發(fā)展，公司業(yè)務(wù)已遍布全球，成為價格優(yōu)、貨源全、庫存量大的供應(yīng)商之一。
作為功率半導(dǎo)體產(chǎn)品和配套器件、IGBT和配套驅(qū)動器的在線供應(yīng)商。
憑借多年的經(jīng)驗，不懈的開拓精神和良好的商業(yè)信譽，公司在電力方面取得了巨大的成就。
在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，并同時與多家電力電子企業(yè)合作并上市。
該公司保持了長期穩(wěn)定和相互信任，它也是大量的電子制造商(富士，三)
凌影凌飛、西門康、埃塞克斯、尼爾、ABB、西瑪、三舍、宏偉等。)都是誠實的代理商和經(jīng)銷商。公司通過多年的實踐經(jīng)驗，積累了扎實的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識，為電力牽引、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！IGBT(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極晶體管，是一種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復(fù)合型全控壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅(qū)動電流大；MOSFET的驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度很快， 但是導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點，具有低驅(qū)動功率和低飽和電壓。IGBT(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極晶體管，是一種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復(fù)合型全控壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅(qū)動電流大；MOSFET的驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快。但是導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點，具有低驅(qū)動功率和低飽和電壓。非常適用于DC電壓600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機、 變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源和其他設(shè)備。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點。目前市場上銷售的大部分產(chǎn)品都是這類模塊化產(chǎn)品，IGBT一般指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保的推廣，這類產(chǎn)品在市場上會越來越普遍；IGBT是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子器件的“CPU”。作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，IGBT廣泛應(yīng)用于軌道交通、 智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車、新能源設(shè)備。
IGBT是垂直功率MOSFET的自然演變，適用于大電流、高電壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備。因為需要源極-漏極溝道來實現(xiàn)更高的擊穿電壓BVDSS，但是該溝道具有高電阻率，這導(dǎo)致功率MOSFET具有高RDS(on)值。IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然第一代功率MOSFET器件的RDS(on)特性已經(jīng)有了很大的改善，但是功率傳導(dǎo)損耗仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于IGBT技術(shù)在高水平下的功率傳導(dǎo)損耗。與標(biāo)準(zhǔn)雙極性器件相比，更低的壓降、轉(zhuǎn)換為低VCE(sat)的能力以及IGBT的結(jié)構(gòu)可以支持更高的電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。
IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET非常相似，主要區(qū)別是IGBT增加了一個P+襯底和一個N+緩沖層(這部分不是NPT-非穿通IGBT技術(shù)增加的)。其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件。襯底的應(yīng)用在管的P+和N+區(qū)域之間產(chǎn)生了J1結(jié)。當(dāng)柵極正偏壓使柵極下方的P基區(qū)反相時，形成N溝道，同時出現(xiàn)電子流，完全以功率MOSFET的方式產(chǎn)生電流。如果這種電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V的范圍內(nèi)，那么J1將處于正向偏置，一些空穴將被注入N區(qū)，陽極和陰極之間的電阻率將被調(diào)節(jié)，這降低了功率傳導(dǎo)的總損耗，并開始第二次電荷流。因此，在半導(dǎo)體層面暫時出現(xiàn)了兩種不同的電流拓?fù)?電子電流 (MOSFET電流)；空穴電流(雙極)。當(dāng)負(fù)偏置電壓施加到柵極或柵極電壓低于閾值時關(guān)斷，溝道被禁止，并且沒有空穴注入n區(qū)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流將逐漸降低，因為在換向開始后，N層中仍有少數(shù)載流子(少數(shù)載流子)。剩余電流(尾流)的減少完全取決于關(guān)斷時的電荷密度，并且該密度與幾個因素有關(guān)，例如摻雜劑的量和拓?fù)?、層厚度和溫度。少?shù)載流子的衰減使得集電極電流具有特征性的尾波波形，造成以下問題:功耗增加；交叉?zhèn)鲗?dǎo)的問題更加明顯， 尤其是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備中。由于尾流與少數(shù)載流子復(fù)合有關(guān)，所以尾流的電流值應(yīng)該與芯片的溫度密切相關(guān)，而空穴遷移率與IC和VCE密切相關(guān)。因此，根據(jù)達(dá)到的溫度，減少電流作用在終端設(shè)備設(shè)計上的這種不良影響是可行的。