IGBT是絕緣柵雙極晶體管的縮寫。IGBT是由MOSFET和雙極晶體管組成的器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。它結(jié)合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率低、開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又有雙極器件飽和電壓低、容量大的優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間，可以在幾十kHz的頻率范圍內(nèi)正常工作。它在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，并在高頻和中功率應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位。

　　IGBT的等效電路如圖1所示。從圖1可以看出，如果在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓，MOSFET就會(huì)導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極和基極就會(huì)處于低阻狀態(tài)，晶體管就會(huì)導(dǎo)通。如果IGBT的柵極和發(fā)射極之間的電壓為0V，MOS關(guān)斷，從而切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。像MOSFET一樣，IGBT也是一種壓控器件。在它的柵極和發(fā)射極之間加一個(gè)10 V以上的DC電壓，只有uA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本不消耗功率。

　　IGBT模塊的電壓規(guī)格與所用設(shè)備的輸入電源電壓密切相關(guān)。它們的相互關(guān)系如下表所示。當(dāng)IGBT模塊的集電極電流在使用中增加時(shí)，額定損耗也增加。同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗增加，加劇了原有的發(fā)熱。因此，選擇IGBT模塊時(shí)，額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗和發(fā)熱的增加，選用時(shí)要降級(jí)。

　　因?yàn)镮GBT模塊是MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)氧化膜與發(fā)射極電隔離。由于這種氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20 ~ 30 V，因此靜電引起的柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此，在使用中要注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子，需要觸摸模塊端子時(shí)，應(yīng)先將人體或衣服上電阻較大的靜電放電后再觸摸；當(dāng)用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，請(qǐng)不要在接線完成前連接模塊；盡量在底板接地良好的情況下操作。在應(yīng)用中，雖然有時(shí)保證柵極驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)柵極的額定電壓， 柵極連接的寄生電感和柵極與集電極之間的電容耦合也會(huì)產(chǎn)生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，通常使用雙絞線來(lái)傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。振蕩電壓也可以通過(guò)在柵極連接中串聯(lián)一個(gè)小電阻來(lái)抑制。