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公司新聞
晶閘管損壞原因判別區(qū)分可控硅損壞原因分析判斷
2023-09-20IP屬地 湖北29

  當(dāng)晶閘管損壞需要檢查分析時(shí),可將鐵芯從冷卻套中取出,打開芯盒后取出芯片,觀察損壞痕跡,確定原因。以下是對(duì)幾種常見現(xiàn)象的分析。

  1.電壓擊穿。晶閘管因?yàn)槌惺懿涣穗妷憾鴵p壞,其芯片上有一個(gè)光滑的孔,有時(shí)需要用放大鏡才能看到。原因可能是燈管本身的耐壓下降或者電路斷開時(shí)被高壓擊穿。

  2.電流被破壞了。電流損傷的痕跡表現(xiàn)為芯片被燒成凹坑,凹坑粗糙,位置遠(yuǎn)離控制電極。

  目前的上升率受損。其跡線和電流損壞,在控制電極附近或上。

  3.邊緣受損。發(fā)生在芯片外圓倒角處,有小而光滑的孔。用放大鏡可以看到倒角面上有細(xì)小的金屬劃痕。這是由于制造商安裝不小心造成的。會(huì)導(dǎo)致電壓擊穿。

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