晶圓是制造半導(dǎo)體器件的基本原材料。高純度半導(dǎo)體通過拉晶、切片等工藝制成晶片。晶圓通過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成微小的電路結(jié)構(gòu)，然后切割、封裝、測試成芯片，廣泛應(yīng)用于各種電子器件。經(jīng)過60多年的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，晶圓材料已經(jīng)形成了以硅為主，新型半導(dǎo)體材料為輔的產(chǎn)業(yè)局面。

　　據(jù)報道，世界上80%的手機和電腦產(chǎn)自中國。中國95%的高性能芯片靠進(jìn)口，所以中國每年花2200億美元進(jìn)口芯片，是中國每年石油進(jìn)口的兩倍。所有與光刻機和芯片生產(chǎn)相關(guān)的設(shè)備和材料也被封殺，比如晶圓、高純度金屬、蝕刻機等等。

　　今天就讓邊肖好好看看晶圓機的紫外光擦除原理！這樣可以對晶圓機的結(jié)構(gòu)有更深入的了解，也可以幫助你了解晶圓機的光擦除技術(shù)是如何發(fā)展進(jìn)步的！

　　紫外線擦除原理

　　寫數(shù)據(jù)時，需要在柵極加一個高壓VPP，如下圖所示，向浮柵注入電荷。因為注入的電荷不具備穿透氧化硅膜能量墻的能量，只能維持現(xiàn)狀，所以一定要給電荷一些能量！這時候就需要用紫外線了。

　　當(dāng)浮柵接收到紫外輻射，浮柵中的電子接收到紫外光量子的能量時，電子變成熱電子，其能量穿透氧化硅膜的能量壁。如圖所示，熱電子穿透氧化硅膜，流向襯底和柵極，回到擦除狀態(tài)。擦除操作只能通過接收紫外線輻射來進(jìn)行，而不能通過電子擦除來進(jìn)行。也就是說，位數(shù)只能從“1”變成“0”，反方向，除了擦除芯片所有內(nèi)容的方法，沒有其他方法。

　　我們知道光的能量與光的波長成反比。為了使電子變成熱電子，從而具有穿透氧化膜的能量，非常需要用波長更短的光即紫外線照射。由于擦除時間取決于光學(xué)光子的數(shù)量，所以即使波長很短，擦除時間也不能縮短。通常，當(dāng)波長約為4000埃(400納米)時開始擦除。在3000A左右基本飽和，3000A以下，即使波長更短，也不會對擦除時間有任何影響。

　　(晶圓紫外燈光譜)

　　一般紫外擦除的標(biāo)準(zhǔn)是接受波長為253.7nm、強度≥16000μW/cm2的紫外輻射30分鐘至3小時，即可完成其擦除操作。

　　2014年以來，朗普已成功為深圳多家晶圓加工企業(yè)提供紫外光擦除設(shè)備，降低了晶圓加工成本，減少了光強衰減，質(zhì)量穩(wěn)定。隨著朗普對紫外光擦除器件的不斷研發(fā)，必將為晶圓行業(yè)和芯片制造行業(yè)帶來更多新的希望！